內(nèi)存常識(shí)介紹
發(fā)布時(shí)間：2008-07-06 閱讀數(shù)： 次 來(lái)源：網(wǎng)樂原科技
內(nèi)存，或內(nèi)存儲(chǔ)器，又稱為主存儲(chǔ)器，是關(guān)系到計(jì)算機(jī)運(yùn)行性能高低的關(guān)鍵部件之一，無(wú)疑是非常重要的。為了加快系統(tǒng)的速度，提高系統(tǒng)的整體性能，我們看到，計(jì)算機(jī)中配置的內(nèi)存數(shù)量越來(lái)越大，而內(nèi)存的種類也越來(lái)越多。
內(nèi)存新技術(shù)
計(jì)算機(jī)指令的存取時(shí)間主要取決于內(nèi)存。對(duì)于現(xiàn)今的大多數(shù)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，內(nèi)存的存取時(shí)間都是一個(gè)主要的制約系統(tǒng)性能提高的因素。因此在判斷某一系統(tǒng)的性能時(shí)，就不能單憑內(nèi)存數(shù)量的大小，還要看一看其所用內(nèi)存的種類，工作速度。
有關(guān)內(nèi)存的名詞
關(guān)于內(nèi)存的名詞眾多。為了便于讀者查閱，下面集中進(jìn)行介紹。
ROM：只讀存儲(chǔ)器
RAM（Random Access Memory）：隨機(jī)存儲(chǔ)器
DRAM（Dynamic RAM）：動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
PM RAM（Page Mode RAM）：頁(yè)模式隨機(jī)存儲(chǔ)器（即普通內(nèi)存）
FPM RAM（Fast Page Mode RAM）：快速頁(yè)模式隨機(jī)存儲(chǔ)器
EDO RAM（Extended Data Output RAM）擴(kuò)充數(shù)據(jù)輸出隨機(jī)存儲(chǔ)器
BEDO RAM（Burst Extended Data Output RAM）：突發(fā)擴(kuò)充數(shù)據(jù)輸出隨機(jī)存儲(chǔ)器
SDRAM（Sychronous Dynamic RAM）：同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
SRAM（Static RAM）：靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
Async SRAM（Asynchronous Static RAM）：異步靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
Sync Burst SRAM（Synchronous Burst Stacic RAM）：同步突發(fā)靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
PB SRAM（Pipelined Burst SRAM）：管道（流水線）突發(fā)靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
Cache：高速緩存
L2 Cache（Level 2 Cache）：二級(jí)高速緩存（通常由SRAM組成）
VRAM（Video RAM）：視頻隨機(jī)存儲(chǔ)器
CVRAM（Cached Vedio RAM）：緩存型視頻隨機(jī)存儲(chǔ)器
SVRAM（Synchronous VRAM）：同步視頻隨機(jī)存儲(chǔ)器
CDRAM（Cached DRAM）：緩存型動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
EDRAM（Enhanced DRAM）：增強(qiáng)型動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
各種內(nèi)存及技術(shù)特點(diǎn)
DRAM 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
DRAM主要用作主存儲(chǔ)器。長(zhǎng)期以來(lái)，我們所用的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器都是PM RAM，稍晚些的為FPM RAM。為了跟上CPU越來(lái)越快的速度，一些新類型的主存儲(chǔ)器被研制出來(lái)。它們是EDO RAM、BEDO RAM、SDRAM等。
DRAM芯片設(shè)計(jì)得象一個(gè)二進(jìn)制位的矩陣，每一個(gè)位有一個(gè)行地址一個(gè)列地址。內(nèi)存控制器要給出芯片地址才能從芯片中讀出指定位的數(shù)據(jù)。一個(gè)標(biāo)明為70ns的芯片要用70ns的時(shí)間讀出一個(gè)位的數(shù)據(jù)。并且還要用額外的時(shí)間從CPU得到地址信息設(shè)置下一條指令。芯片制作技術(shù)的不斷進(jìn)步使這種處理效率越來(lái)越高。
FPM RAM 快速頁(yè)模式隨機(jī)存儲(chǔ)器
這里的所謂“頁(yè)”，指的是DRAM芯片中存儲(chǔ)陣列上的2048位片斷。FPM RAM是最早的隨機(jī)存儲(chǔ)器，在過去一直是主流PC機(jī)的標(biāo)準(zhǔn)配置，以前我們?cè)谡務(wù)搩?nèi)存速度時(shí)所說的“杠7”，“杠6”，指的即是其存取時(shí)間為70ns，60ns。60ns的FPM RAM可用于總線速度為66MHz（兆赫茲）的奔騰系統(tǒng)（CPU主頻為100，133，166和200MHz）。
快速頁(yè)模式的內(nèi)存常用于視頻卡，通常我們也叫它“DRAM”。其中一種經(jīng)過特殊設(shè)計(jì)的內(nèi)存的存取時(shí)間僅為48ns，這時(shí)我們就叫它VRAM。這種經(jīng)過特殊設(shè)計(jì)的內(nèi)存具有“雙口”，其中一個(gè)端口可直接被CPU存取，而另一個(gè)端口可獨(dú)立地被RAM“直接存取通道”存取，這樣存儲(chǔ)器的“直接存取通道”不必等待CPU完成存取就可同時(shí)工作，從而比一般的DRAM要快些。
EDO RAM 擴(kuò)充數(shù)據(jù)輸出隨機(jī)存儲(chǔ)器
在DRAM芯片之中，除存儲(chǔ)單元之外，還有一些附加邏輯電路，現(xiàn)在，人們已注意到RAM芯片的附加邏輯電路，通過增加少量的額外邏輯電路，可以提高在單位時(shí)間內(nèi)的數(shù)據(jù)流量，即所謂的增加帶寬。EDO正是在這個(gè)方面作出的嘗試。擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出(Extended data out??EDO，有時(shí)也稱為超頁(yè)模式??hyper－page－mode)DRAM，和突發(fā)式EDO(Bust EDO－BEDO)DRAM是兩種基于頁(yè)模式內(nèi)存的內(nèi)存技術(shù)。EDO大約1996年被引入主流PC機(jī)，從那以后成為許多系統(tǒng)廠商的主要內(nèi)存選擇。BEDO相對(duì)更新一些，對(duì)市場(chǎng)的吸引還未能達(dá)到EDO的水平。
EDO的工作方式頗類似于FPM DRAM，EDO還具有比FPM DRAM更快的理想化突發(fā)式讀周期時(shí)鐘安排。這使得在66MHz總線上從DRAM中讀取一組由四個(gè)元素組成的數(shù)據(jù)塊時(shí)能節(jié)省3個(gè)時(shí)鐘周期。
BEDO RAM 突發(fā)擴(kuò)充數(shù)據(jù)輸出隨機(jī)存儲(chǔ)器
BEDO RAM，就像其名字一樣，是在一個(gè)“突發(fā)動(dòng)作”中讀取數(shù)據(jù)，這就是說在提供了內(nèi)存地址后，CPU假定其后的數(shù)據(jù)地址，并自動(dòng)把它們預(yù)取出來(lái)。這樣，在讀下三個(gè)數(shù)據(jù)中的每一個(gè)數(shù)據(jù)時(shí)，只用僅僅一個(gè)時(shí)鐘周期，CPU能夠以突發(fā)模式讀數(shù)據(jù)(采用52ns BEDO和66MHz總線)，這種方式下指令的傳送速度就大大提高，處理器的指令隊(duì)列就能有效地填滿。現(xiàn)今這種RAM只被VIA芯片組580VP，590VP，860VP支持。這種真正快速的BEDO RAM也是有缺陷的，這就是它無(wú)法與頻率高于66MHz的總線相匹配。
SDRAM 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
SDRAM 可以說是最有前途的一種內(nèi)部存儲(chǔ)器，當(dāng)前這種RAM很受歡迎。目前市面上的絕大多數(shù)奔騰級(jí)主板和Pentium Ⅱ主板都支持這種內(nèi)存。就像這種內(nèi)存的名字所表明的，這種RAM可以使所有的輸入輸出信號(hào)保持與系統(tǒng)時(shí)鐘同步。而在不久以前，這只有SRAM 才能辦到。
SDRAM與系統(tǒng)時(shí)鐘同步，采用管道處理方式，當(dāng)指定一個(gè)特定的地址，SDRAM就可讀出多個(gè)數(shù)據(jù)，即實(shí)現(xiàn)突發(fā)傳送。
具體來(lái)說，第一步，指定地址；第二步，把數(shù)據(jù)從存儲(chǔ)地址傳到輸出電路；第三步，輸出數(shù)據(jù)到外部。關(guān)鍵是以上三個(gè)步驟是各自獨(dú)立進(jìn)行的，且與CPU同步，而以往的內(nèi)存只有從頭到尾執(zhí)行完這三個(gè)步驟才能輸出數(shù)據(jù)。這就是SDRAM高速的秘訣。SDRAM的讀寫周期為10至15ns。
SDRAM基于雙存儲(chǔ)體結(jié)構(gòu)，內(nèi)含兩個(gè)交錯(cuò)的存儲(chǔ)陣列，當(dāng)CPU從一個(gè)存儲(chǔ)體或陣列訪問數(shù)據(jù)的同時(shí)，另一個(gè)已準(zhǔn)備好讀寫數(shù)據(jù)。通過兩個(gè)存儲(chǔ)陣列的緊密切換，讀取效率得到成倍提高。1996年推出的SDRAM最高速度可達(dá)100MHz，與中檔Pentium同步，存儲(chǔ)時(shí)間短達(dá)5～8ns，可將Pentium系統(tǒng)性能提高140％，與Pentium 100、133、166等每一檔次只能提高性能百分之幾十的CPU相比，換用SDRAM似乎是更明智的升級(jí)策略。目前市場(chǎng)上的奔騰級(jí)以上的主板幾乎都支持SDRAM。
SDRAM不僅可用作主存，在顯示卡專用內(nèi)存方面也有廣泛應(yīng)用。對(duì)顯示卡來(lái)說，數(shù)據(jù)帶寬越寬，同時(shí)處理的數(shù)據(jù)就越多，顯示的信息就越多，顯示質(zhì)量也就越高。以前用一種可同時(shí)進(jìn)行讀寫的雙端口視頻內(nèi)存（VRAM）來(lái)提高帶寬，但這種內(nèi)存成本高，應(yīng)用受到很大限制。因此在一般顯示卡上，廉價(jià)的DRAM和高效的EDO DRAM應(yīng)用很廣。但隨著64位顯示卡的上市，帶寬已擴(kuò)大到EDO DRAM所能達(dá)到的帶寬的極限，要達(dá)到更高的1600×1200的分辨率，而又盡量降低成本，就只能采用頻率達(dá)66MHz、高帶寬的SDRAM了。
SDRAM也將應(yīng)用于共享內(nèi)存結(jié)構(gòu)（UMA），一種集成主存和顯示內(nèi)存的結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)在很大程度上降低了系統(tǒng)成本，因?yàn)樵S多高性能顯示卡價(jià)格高昂，就是因?yàn)槠鋵Ｓ蔑@示內(nèi)存成本極高，而UMA技術(shù)將利用主存作顯示內(nèi)存，不再需要增加專門顯示內(nèi)存，因而降低了成本。
SRAM Statu RAM 靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
按產(chǎn)生時(shí)間和工作方式來(lái)分，靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器也分為異步和同步。在一定的納米制造技術(shù)下，SRAM容量比其他類型內(nèi)存低，這是因?yàn)镾RAM需要用更多的晶體管存儲(chǔ)一個(gè)位（bit），因而造價(jià)也貴得多。靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器多用于二級(jí)高速緩存（Level 2 Cache）。
1. Async SRAM 異步靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
自從第一個(gè)帶有二級(jí)高速緩存（Cache）的386計(jì)算機(jī)出現(xiàn)以來(lái)，這種老型號(hào)的屬于“Cache RAM（緩存型隨機(jī)存儲(chǔ)器）”類型的內(nèi)存就開始應(yīng)用了。異步靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器比DRAM快些，并依賴于CPU的時(shí)鐘，其存取速度有12ns、15ns和18ns三種，值越小，表示存取數(shù)據(jù)的速度越快。但在存取數(shù)據(jù)時(shí)，它還沒有快到能夠與CPU保持同步，CPU必須等待以匹配其速度。
2. Sync Burst SRAM同步突發(fā)靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
在計(jì)算機(jī)界存在這樣的爭(zhēng)論：Sync Burst SRAM 和FB SRAM 誰(shuí)更快些？誠(chéng)然，在總線速度為66MHz的系統(tǒng)上，Sync Burst SRAM確實(shí)是最快的，但當(dāng)總線速度超過66MHz時(shí)（比如Cyrix公司的6x86p200＋型號(hào)），Sync burst SRAM就超負(fù)荷了，大大低于PB SRAM 傳輸速度。因此用現(xiàn)行的Pentium主板（總線速度為66MHz），我們應(yīng)該采用Sync Burst SRAM，這樣效率最高、速度最快。但目前的問題是：生產(chǎn)支持Sync Burst SRAM的主板供應(yīng)商很少，所以能支持Sync Burst SRAM的主板的價(jià)格都很高。
3. PB SRAM 管道突發(fā)靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
管道（Pipeline，或流水線）的意思是：通過使用輸入輸出寄存器，一個(gè)SRAM可以形成像“管道”那樣的數(shù)據(jù)流水線傳輸模式。在裝載填充寄存器時(shí)，雖然需要一個(gè)額外的啟動(dòng)周期，但寄存器一經(jīng)裝載，就可產(chǎn)生這樣的作用：在用現(xiàn)行的地址提供數(shù)據(jù)的同時(shí)能提前存取下一地址。在總線速度為75MHz和高于75MHz時(shí)，這種內(nèi)存是最快的緩存型隨機(jī)存儲(chǔ)器（Cache RAM）。實(shí)際上，PB SRAM可以匹配總線速度高達(dá)133MHz的系統(tǒng)。同時(shí)，在較慢的系統(tǒng)中，PB SRAM也并不比Sync Burst SRAM慢多少。
應(yīng)用PB SRAM，可達(dá)到4.5到8ns的“地址－數(shù)據(jù)”時(shí)間。
L2 Cache 二級(jí)高速緩存
現(xiàn)今解決CPU與主內(nèi)存之間的速度匹配的主要方法是在CPU與DRAM間加上基于SRAM的二級(jí)高速緩存，這種內(nèi)存系統(tǒng)可以承擔(dān)85％的內(nèi)存請(qǐng)求，而不需CPU增加額外的等待周期。
在用DOS、Windows3.1、Windows3.2和WFW3.11（Windows for Workgroups）作為主要的操作系統(tǒng)時(shí)，確實(shí)沒有必要設(shè)置高于256KB的L2 Cache。但自從Windows95操作系統(tǒng)推出以來(lái)，經(jīng)測(cè)試，在系統(tǒng)的RAM只有16MB時(shí)，設(shè)置512KB的緩存比256KB的緩存更能大大提高系統(tǒng)的性能。
再者，應(yīng)用多媒體軟件日益普遍，而以前的系統(tǒng)不能緩存大多數(shù)圖形和視頻信息，這使得CPU不斷地與速度較慢的主內(nèi)存打交道，降低了系統(tǒng)的性能，而增加CPU的二級(jí)高速緩存就能解決這個(gè)問題。
目前，人們?cè)絹?lái)越傾向應(yīng)用32位的操作系統(tǒng)。在多任務(wù)的操作系統(tǒng)中，增加L2 Cache直到2MB都具有實(shí)際意義，能夠增強(qiáng)系統(tǒng)性能，這是因?yàn)閼?yīng)用程序越來(lái)越大，并且越來(lái)越多的程序在同一時(shí)間運(yùn)行，當(dāng)CPU在多任務(wù)之間切換時(shí)，如果Cache沒有足夠大的空間來(lái)裝入所有被執(zhí)行代碼，就必須從速度非常慢的主內(nèi)存器獲得它所需的信息，多任務(wù)操作系統(tǒng)就不能充分發(fā)揮其作用。因此，在應(yīng)用現(xiàn)代的操作系統(tǒng)時(shí)，在系統(tǒng)裝入512KB的L2 Cachee是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)發(fā)展的需要。
基于以下特點(diǎn)，Sync Burst SRAM比Async SRAM更適合作二級(jí)高速緩存：
(1)同步于系統(tǒng)時(shí)鐘
(2)突發(fā)能力
(3)管道能力
以上這些特點(diǎn)使得微處理器在存取連續(xù)內(nèi)存位置時(shí)用同步SRMA比異步SRAM更快。目前，有些RAM供應(yīng)商提供的3.3V異步的SRAM的“時(shí)鐘到數(shù)據(jù)時(shí)間”（clock－to－data指開始加入時(shí)鐘脈沖到數(shù)據(jù)輸出的時(shí)間）為15ns，而采用類似技術(shù)的同步SRAM的“時(shí)鐘到數(shù)據(jù)時(shí)間”甚至不到6ns。
隨著總線速度的增加，性能價(jià)格比最佳點(diǎn)的SRAM技術(shù)是從異步到同步，再到管道同步的。
但目前只有少數(shù)供應(yīng)商能提供采用同步的SRAM，所以在系統(tǒng)性能不是非常重要時(shí)，設(shè)計(jì)者在總線速度為50MHz到66MHz時(shí)采用“管道同步”技術(shù)的內(nèi)存是一種明智的選擇。
有些內(nèi)存設(shè)計(jì)方案把Cache、DRAM、SRAM結(jié)合起來(lái)，如CDRAM、EDRAM、CVRAM、SVRAM、EDO SRAM、EDO VRAM。也有些內(nèi)存設(shè)計(jì)方案在存儲(chǔ)器中增加了一些內(nèi)置式微處理器，如智能RAM（Smart RAM）、3D RAM（用于3維視頻信號(hào)處理的RAM）、RDRAM（Rambus DRAM）、WRAM（Windows RAM，一種采用雙端口內(nèi)存視頻加速技術(shù)的內(nèi)存）。內(nèi)存的多樣性可見一斑，不一而論。
快閃存儲(chǔ)器，快擦寫存儲(chǔ)器和鐵電體隨機(jī)存儲(chǔ)器
快閃存儲(chǔ)器是1983年推出的電可擦非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，它采用一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)技術(shù)，即若不對(duì)其施加大電壓進(jìn)行擦除，可一直保持其狀態(tài)，在不加電狀態(tài)下可安全保存信息長(zhǎng)達(dá)十年；它也具有固態(tài)電子學(xué)特性，即沒有可移動(dòng)部件，抗震性能好；同時(shí)，它具有優(yōu)越的性能，它的存取時(shí)間僅為30ns。與以往的電可擦存儲(chǔ)器EEPROM相比，快閃存儲(chǔ)器的最大差別是采用了塊可擦除的陣列結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)不僅使其有了快的擦除速度，而且具有了像EEPROM那樣的單管結(jié)構(gòu)的高密度，由此帶來(lái)了低的制造成本和小的體積。快閃存儲(chǔ)器兼有了ROM和RAM二者的性能及高密度，是目前為數(shù)不多的同時(shí)具備大容量、高速度、非易失性、可在線擦寫特性的存儲(chǔ)器。
快閃存儲(chǔ)器多用于系統(tǒng)的BIOS、Modem（調(diào)制解調(diào)器）和一些網(wǎng)絡(luò)設(shè)備（Hub、路由器）。
鐵電體隨機(jī)存儲(chǔ)器也采用非揮發(fā)性存儲(chǔ)技術(shù)，在生產(chǎn)中使用了鐵氧體，它優(yōu)越于快閃存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是其經(jīng)過多次寫操作后性能不退化，而快閃存儲(chǔ)器存在退化問題。這使得鐵電體隨機(jī)存儲(chǔ)器更具有廣闊的前景。
各種內(nèi)存條及技術(shù)特點(diǎn)
目前市場(chǎng)上計(jì)算機(jī)產(chǎn)品升級(jí)頻繁。CPU已進(jìn)入奔騰時(shí)代，與此同時(shí)，內(nèi)存系列產(chǎn)品的技術(shù)與性能也逐漸更新提高。
內(nèi)存條的格式分30線、72線和168線。當(dāng)今流行的內(nèi)存條有EDO和SDRAM。現(xiàn)在的Pentium級(jí)以上的計(jì)算機(jī)在設(shè)計(jì)上均支持EDO和SDRAM內(nèi)存條。
衡量?jī)?nèi)存條技術(shù)的一個(gè)重要指標(biāo)是DRAM芯片的存取時(shí)間，常見的有60ns、70ns、80ns，數(shù)值越小，速度越快。
SIMM內(nèi)存條
SIMM內(nèi)存條的全稱為單列存儲(chǔ)器模塊，是一塊裝有3～36片DRAM的電路板。早期PC機(jī)的主存儲(chǔ)器采用的是雙列直插封裝(DIP)的DRAM芯片，因其安裝位置較大，不便于擴(kuò)展，故現(xiàn)在普遍采用SIMM內(nèi)存條,安裝一條SIMM相當(dāng)于安裝原來(lái)的9片DIP型DRAM芯片。目前在SIMM內(nèi)存條集成的多為EDO/FPM內(nèi)存，其主要參數(shù)有：
1.引腳數(shù)
SIMM內(nèi)存條上的引腳，俗稱為“金手指”。使用時(shí)，內(nèi)存條引腳數(shù)必須與主板上SIMM槽口的針數(shù)相匹配。SIMM槽口有30針、72針兩種，相對(duì)應(yīng)內(nèi)存條的引腳有30線和72線兩種。在72針系統(tǒng)中，有奇偶校驗(yàn)使用36位的內(nèi)存條，無(wú)奇偶校驗(yàn)使用32位的內(nèi)存條；在30針的普通系統(tǒng)中，有奇偶校驗(yàn)使用9位的內(nèi)存條，無(wú)奇偶校驗(yàn)則使用8位的內(nèi)存條。目前30針的SIMM內(nèi)存條已被淘汰。
2.容量
30線內(nèi)存條常見容量有256KB、1MB和4MB。72線內(nèi)存條常見容量有4MB、8MB、16MB和32MB。30針引腳系統(tǒng)中，8位或9位內(nèi)存條的數(shù)據(jù)寬度為8位，286、386SX、486SX CPU數(shù)據(jù)寬度為16位，因此必須成對(duì)使用；386DX、486DX CPU數(shù)據(jù)寬度為32位，因此必須4條一組使用。72針引腳系統(tǒng)中，32位或36位內(nèi)存條的數(shù)據(jù)寬度為32位，適用于386DX、486DX和Pentium(586)微機(jī)，可以單條或成對(duì)使用。
3.速率
內(nèi)存條的一個(gè)重要性能指標(biāo)是速率，以納秒(ns)表示，代表系統(tǒng)給予內(nèi)存在無(wú)錯(cuò)情況下作出反應(yīng)的時(shí)間。一般有60ns、70ns、80ns、120ns等幾種，相應(yīng)在內(nèi)存條上標(biāo)有“－6”、“－7”、“－8”、“－12”等字樣。這個(gè)數(shù)值越小，表示內(nèi)存條速度越快。只有當(dāng)內(nèi)存與主板速度相匹配時(shí)才能發(fā)揮最大效率。
4.奇偶校驗(yàn)
微機(jī)要求內(nèi)存有奇偶校驗(yàn)，但沒有奇偶校驗(yàn)也能運(yùn)行。奇偶校驗(yàn)需要額外的內(nèi)存芯片。選購(gòu)內(nèi)存條時(shí)常會(huì)聽到2片、3片、真3片、假3片、8片、9片等說法，這是指內(nèi)存條是否帶奇偶校驗(yàn)。2片和8片內(nèi)存條肯定不帶奇偶校驗(yàn)；3片和9片內(nèi)存條應(yīng)該帶奇偶校驗(yàn)，但有些生產(chǎn)廠商為了謀取更高利潤(rùn)，將壞的芯片作為奇偶校驗(yàn)，被稱為假3片或假9片，假3片或假9片一般能正常使用，只是制造成本低。鑒別內(nèi)存是否帶奇偶校驗(yàn)比較簡(jiǎn)單，裝好內(nèi)存開機(jī)后執(zhí)行BIOS SETUP程序，選擇允許奇偶校驗(yàn)，如果機(jī)器可正常引導(dǎo)，則說明內(nèi)存帶奇偶校驗(yàn)，如果屏幕出現(xiàn)奇偶校驗(yàn)錯(cuò)的提示后死機(jī)，則說明內(nèi)存不帶奇偶校驗(yàn)。
DIMM內(nèi)存條
在內(nèi)存條模塊生產(chǎn)技術(shù)上，新型的168線DIMM內(nèi)存條模塊為當(dāng)今最流行的內(nèi)存條，如下圖所示。DIMM是指雙在線模塊，它與早期的SIMM單在線模塊有著很大區(qū)別。
它使內(nèi)存條在長(zhǎng)度增加不多的情況下將模塊的總線寬度增加一倍。DIMM技術(shù)的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是能夠制作非常小的32位模塊。這就是所謂的SODIMM。它的尺寸僅是72針的SIMM模塊的一半，因此許多筆記本電腦制造商均采用SODIMM作為內(nèi)存條的標(biāo)準(zhǔn)模式。
其實(shí)，無(wú)論是內(nèi)存條技術(shù)的革新還是內(nèi)存條模塊的改造，最終目的還是適應(yīng)
廣大電腦用戶的多層次需求。世界著名的內(nèi)存條生產(chǎn)廠商金士頓（Kingston）公司在其產(chǎn)品的生產(chǎn)上強(qiáng)調(diào)了專業(yè)性與針對(duì)性，根據(jù)每一種不同的系統(tǒng)進(jìn)行特別設(shè)計(jì)。今后的市場(chǎng)是技術(shù)與服務(wù)并重的市場(chǎng)，優(yōu)秀的技術(shù)革新與優(yōu)質(zhì)的服務(wù)保障會(huì)使計(jì)算機(jī)用戶收益無(wú)窮。
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