前言：

　　Intel在2004年春季IDF論壇上宣布了Memory Implementers Forum(MIF)新組織，并公布了由其所倡導的新一代內存規(guī)范：“FB-DIMM”內存規(guī)范。

　　英特爾準備FB-DIMM用來替代目前的DIMM設計。那么什么是FB-DIMM內存？相目前的內存規(guī)范相比，F(xiàn)B-DIMM有何獨特之處或優(yōu)勢呢？

一、內存帶寬已經成為制約系統(tǒng)性能的瓶頸

　　近年來，CPU的運算性能呈幾何級提升，內存帶寬成為系統(tǒng)越來越大的瓶頸。目前處于主流DDR技術已經發(fā)展到極至，受其架構的限制，DIMM體系內存的速度已經很難再有所提升，可以說目前內存子系統(tǒng)遇到更大的挑戰(zhàn)。未來的計算運算應用將需容量更大、速度更快的內存系統(tǒng)予以支持，而目前的內存子系統(tǒng)顯然還達不到這種要求。

　　也許有些朋友會這樣問“為什么我們不能在現(xiàn)有的雙通道內存系統(tǒng)的基礎之上推出四通道或八通道系統(tǒng)來提升內存子系統(tǒng)性能呢？”雖說采用多路并行的內存架構設計可以極有效地提升內存帶寬，但受目前SDRAM、DDR、DDR2內存自身架構的制約，要實現(xiàn)類似四路并行設計是有相當難度的。

　　因為目前的內存主要是采用傳統(tǒng)的64位并行設計，即北橋芯片的內存控制器與內存模塊之間均通過64位的并行總線來數(shù)據(jù)交換，但此類并行總線設計有一個最大的缺點：就是相鄰線路很容易受到干擾。這是因為目前的DIMM采用一種“短線連接”(Stub-bus)的拓撲結構。

　　在這種結構中，每個芯片與內存控制器的數(shù)據(jù)總線都有一個短小的線路相連，這樣會造成電阻抗的不連續(xù)性，從而影響信號的穩(wěn)定與完整，頻率越高或芯片顆粒越多，影響也就越大。這也是目前基于此類并行體系的內存如DDR頻率低下的原因。