而且對主板設(shè)計而言，設(shè)計內(nèi)存系統(tǒng)的并行線路也非易事。因為在內(nèi)存控制系統(tǒng)之間要保持各路產(chǎn)生的傳輸信號同步，這就要求各條線路的長度必須保持嚴(yán)格一致，這意味著如果采用4通道設(shè)計的話，每塊主板上的針對內(nèi)存的數(shù)據(jù)線路到達(dá)了256條(4X64)，這將占用很大的面積，無疑會大大增加主板的生產(chǎn)成本。

　　鑒于以上情況，業(yè)界推出了“減小位寬，高頻率和多路并行”相結(jié)合的解決方案。而這個理念，Rambus在其下一代內(nèi)存技術(shù)—XDR內(nèi)存中已經(jīng)實現(xiàn)：總線位寬只有16bit的XDR內(nèi)存，憑借高達(dá)4GHz的工作頻率可以提供8GB/S的帶寬，如果采用八通道設(shè)計的話，則可以提供64GB/S的帶寬，而主板上的線路也僅僅只有128條(16X8)，相當(dāng)于目前的雙通道DDR主板。也正是基于以上設(shè)計理念，英特爾也發(fā)布了針對未來企業(yè)級運(yùn)算平臺的新一代內(nèi)存體系：FB-DIMM(Fully Buffered-DIMM)！

二、FB-DIMM技術(shù)特性

　　FB-DIMM英文全稱為“Fully Buffered-DIMM”，又稱為全緩沖雙列內(nèi)存模組。FB-DIMM是在普通DDR2內(nèi)存的基礎(chǔ)之上改進(jìn)而來的，但其與普通DDR內(nèi)存卻有了很大的變化。

1、以串行的方式進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸

　　首先，與目前的DIMM采用的是一種“短線連接”(Stub-bus)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)不同，F(xiàn)B-DIMM與內(nèi)存控制器之間的數(shù)據(jù)與命令傳輸不再是傳統(tǒng)的并行線路，而采用了類似于PCI-Express的串行接口多路并聯(lián)的設(shè)計，以串行的方式進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。

“點對點連接”(右)與“短線連接(左)”

　　在FB-DIMM架構(gòu)中，每個DIMM上的緩沖區(qū)是相互串聯(lián)的，之間為點對點的連接方式，數(shù)據(jù)會在經(jīng)過第一個緩沖區(qū)后傳向下一個緩沖區(qū)，這樣，第一個緩沖區(qū)與內(nèi)存控制器之間的連接阻抗就能始終保持穩(wěn)定，從而有助于容量與頻率的提升。

FB-DIMM系統(tǒng)架構(gòu)圖

　　不過，F(xiàn)B-DIMM的串行總線也有其獨到之處：數(shù)據(jù)的上行線路由于14組線路對構(gòu)成，一個周期可傳輸14bit數(shù)據(jù)，而下行線路卻只有10組線路對，一個周期傳輸10bit數(shù)據(jù)。