這種不對等設(shè)計其實(shí)完全是根據(jù)實(shí)際需要出發(fā)，因為不管在任何時候，系統(tǒng)從內(nèi)存中讀取的數(shù)據(jù)往往比寫入內(nèi)存的數(shù)據(jù)要多，因此對上行線路的帶寬要求也要比下行線路要高，這樣不對等設(shè)計剛好起到平衡作用，在一定程度上使得讀取與寫入數(shù)據(jù)同步。

　　同時FB-DIMM所采用的串行接口多路并聯(lián)的設(shè)計還有一個優(yōu)點(diǎn)，那就是大大增加了抗干擾能力。FB-DIMM所使用的串行總線使用差分信號技術(shù)，通過一對線路來表達(dá)一下信號，即信號是由“0”或“1”兩條線路的電壓差來決定，這有點(diǎn)類似于PCI EXPRESS總線。因此此類設(shè)計的抗干擾能力要遠(yuǎn)優(yōu)于傳統(tǒng)的單線傳輸信號技術(shù)，畢竟兩條線路之間的電壓差是保持在一個相對穩(wěn)定的水準(zhǔn)。

　　因此FB-DIMM的總線可以工作在很高的頻率之上：以FB-DIMM1.0版標(biāo)準(zhǔn)為例，它可以提供3.2GHz、4GHz 和4.8GHz三種數(shù)據(jù)傳輸率，這意味著即使是單通道FB-DIMM系統(tǒng)的也可以提供9.6GB/S、12GB/S和14.4GB/S的驚人帶寬。

　　注意：由于采用讀取與寫入不對稱設(shè)計，因此FB-DIMM的理論讀取數(shù)據(jù)帶寬分別為5.6GB/S、7GB/S和8.4GB/S，而寫入數(shù)據(jù)帶寬則為4GB/S、5GB/S和6GB/S。

　　這僅僅是單通道的情況，實(shí)際上FB-DIMM可能構(gòu)建雙通道、四通道或八通道架構(gòu)，這時所提供的內(nèi)存帶寬是目前的內(nèi)存所不能比似：最高帶寬可以達(dá)到86.4GB/S。值注意的是，這些數(shù)值并非代表FB-DIMM內(nèi)存的真正讀寫效能，因為FB-DIMM所采用的總線是與FB-DIMM模塊上的緩沖芯片直接連接的，而不是直接與北橋芯片中的內(nèi)存控制器相連接。這也意味著FB-DIMM內(nèi)存模塊的芯片的數(shù)據(jù)傳輸頻率不是與總線頻率一致。

　　注：目前的DDR內(nèi)存模塊的芯片的數(shù)據(jù)傳輸頻率是與總線頻率一致的，總線頻率即是內(nèi)存真正的讀定頻率。

2、功能獨(dú)特的AMB緩沖芯片

　　FB-DIMM另一特點(diǎn)是增加了一塊稱為“Advanced Memory Buffer，簡稱AMB”的緩沖芯片。這款A(yù)MB芯片是集數(shù)據(jù)傳輸控制、并—串?dāng)?shù)據(jù)互換和芯片而FB-DIMM實(shí)行串行通訊呈多路并行主要靠AMB芯片來實(shí)現(xiàn)。

　　在FB-DIMM系統(tǒng)中，有兩種類型的串行線路：一條是負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)寫入的串行線路(稱為Southbound，南區(qū))，一條是負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)讀取的串行線路(稱為Northbound，北區(qū))。這兩條串行線路各由AMB芯片中的“pass-through”和“pass-through & Merging”控制邏輯負(fù)責(zé)。

　　其中南、北區(qū)中傳輸?shù)臄?shù)據(jù)流都是采用串行格式，但AMB芯片與內(nèi)存芯片仍然通過64bit(注意：位寬并不是固定不變的)并行總線進(jìn)行數(shù)據(jù)交據(jù)，因此數(shù)據(jù)之間的串-并格式轉(zhuǎn)換則由AMB中的轉(zhuǎn)換邏輯來實(shí)現(xiàn)。同時在AMB中有一個數(shù)據(jù)總線接口，用來與內(nèi)存芯片的連接。

　　利用AMB芯片，這意味著FB-DIMM并不需要對現(xiàn)有的DRAM芯片作出改動，內(nèi)存制造商可以直接使用成本低廉的DDR2芯片。盡管采用新型緩沖芯片會增加一些成本，但是這比起制造全新的RAM芯片來說代價要小得多。

　　基本上可以這么說，除了時鐘信號與系統(tǒng)管理總線的訪問(主要與SPD打交道)，其他的命令與數(shù)據(jù)的I/O都要經(jīng)過位于DIMM上的內(nèi)存緩沖器的中轉(zhuǎn)。這也許是FB-DIMM為什么叫“全緩沖雙列內(nèi)存模組”的原因。