Micron內(nèi)存顆粒

　　Micron（美光）內(nèi)存顆粒的容量辨識(shí)相對(duì)于三星來(lái)說(shuō)簡(jiǎn)單許多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75這個(gè)編號(hào)來(lái)說(shuō)明美光內(nèi)存的編碼規(guī)則。

　　含義：

　　MT——Micron的廠商名稱(chēng)。

　　48——內(nèi)存的類(lèi)型。48代表SDRAM；46 代表DDR。

　　LC——供電電壓。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。

　　16M8——內(nèi)存顆粒容量為128Mbits，計(jì)算方法是：16M（地址）×8位數(shù)據(jù)寬度。

　　A2——內(nèi)存內(nèi)核版本號(hào)。

　　TG——封裝方式，TG即TSOP封裝。

　　-75——內(nèi)存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

　　實(shí)例：一條Micron DDR內(nèi)存條，采用18片編號(hào)為MT46V32M4-75的顆粒制造。該內(nèi)存支持ECC功能。所以每個(gè)Bank是奇數(shù)片內(nèi)存顆粒。

　　其容量計(jì)算為：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字節(jié)）。

　　西門(mén)子內(nèi)存顆粒

　　目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上西門(mén)子的子公司Infineon生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒只有兩種容量：容量為128Mbits的顆粒和容量為256Mbits的顆粒。編號(hào)中詳細(xì)列出了其內(nèi)存的容量、數(shù)據(jù)寬度。Infineon的內(nèi)存隊(duì)列組織管理模式都是每個(gè)顆粒由4個(gè)Bank組成。所以其內(nèi)存顆粒型號(hào)比較少，辨別也是最容易的。

　　HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”標(biāo)識(shí)的是該顆粒的容量，后三位標(biāo)識(shí)的是該內(nèi)存數(shù)據(jù)寬度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。

　　Infineon內(nèi)存顆粒工作速率的表示方法是在其型號(hào)最后加一短線(xiàn)，然后標(biāo)上工作速率。

　　-7.5——表示該內(nèi)存的工作頻率是133MHz；

　　-8——表示該內(nèi)存的工作頻率是100MHz。

　　例如：

　　1條Kingston的內(nèi)存條，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計(jì)算為： 128Mbits（兆數(shù)位）×16片/8=256MB（兆字節(jié)）。

　　1條Ramaxel的內(nèi)存條，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計(jì)算為： 128Mbits（兆數(shù)位） × 8 片/8=128MB（兆字節(jié)）。