9.磁阻磁頭技術(shù)MR(Magneto－Resistive Head)：

　　MR(MagnetoResistive)磁頭，即磁阻磁頭技術(shù)。MR技術(shù)可以更高的實際記錄密度、記錄數(shù)據(jù)，從而增加硬盤容量，提高數(shù)據(jù)吞吐率。目前的MR技術(shù)已有幾代產(chǎn)品。MAXTOR的鉆石三代/四代等均采用了最新的MR技術(shù)。磁阻磁頭的工作原理是基于磁阻效應(yīng)來工作的，其核心是一小片金屬材料,其電阻隨磁場變化而變化,雖然其變化率不足2%,但因為磁阻元件連著一個非常靈敏的放大器,所以可測出該微小的電阻變化。MR技術(shù)可使硬盤容量提高40%以上。GMR（GiantMagnetoresistive）巨磁阻磁頭GMR磁頭與MR磁頭一樣，是利用特殊材料的電阻值隨磁場變化的原理來讀取盤片上的數(shù)據(jù)，但是GMR磁頭使用了磁阻效應(yīng)更好的材料和多層薄膜結(jié)構(gòu)，比MR磁頭更為敏感，相同的磁場變化能引起更大的電阻值變化，從而可以實現(xiàn)更高的存儲密度，現(xiàn)有的MR磁頭能夠達(dá)到的盤片密度為3Gbit－5Gbit/in2（千兆位每平方英寸），而GMR磁頭可以達(dá)到10Gbit－40Gbit/in2以上。目前GMR磁頭已經(jīng)處于成熟推廣期，在今后的數(shù)年中，它將會逐步取代MR磁頭，成為最流行的磁頭技術(shù)。當(dāng)然單碟容量的提高并不是單靠磁頭就能解決的，這還要有相應(yīng)盤片材料的改進(jìn)才行，比如IBM早在去年率先在75GXP硬盤中采用玻璃介質(zhì)的盤片。

　　10.緩存：

　　全稱是數(shù)據(jù)緩沖存儲器(cache buffer)指的是硬盤的高速緩沖存儲器，是硬盤與外部總線交換數(shù)據(jù)的場所。硬盤的讀數(shù)據(jù)的過程是將磁信號轉(zhuǎn)化為電信號后，通過緩存一次次地填充與清空，再填充，再清空，一步步按照PCI總線的周期送出，可見，緩存的作用是相當(dāng)重要的。在接口技術(shù)已經(jīng)發(fā)展到一個相對成熟的階段的時候，緩存的大小與速度是直接關(guān)系到硬盤的傳輸速度的重要因素。它一般使用7～10ns的SDRAM，目前主流IDE硬盤的數(shù)據(jù)緩存是2MB，但以西部數(shù)據(jù)得JB系列為代表的硬盤緩存達(dá)到了8MB，性能非常優(yōu)秀。

　　11.連續(xù)無故障時間（MTBF）：

　　指硬盤從開始運(yùn)行到出現(xiàn)故障的最長時間，單位為小時。一般硬盤的MTBF都在30000或50000小時之間，算下來如果一個硬盤每天工作10小時，一年工作365天，它的壽命至少也有8年，所以用戶大可不必為硬盤的壽命而擔(dān)心。不過出于對數(shù)據(jù)安全方面的考慮，最好將硬盤的使用壽命控制在5年以內(nèi)。